تحلیل پردیس سینمایی ملت
| دسته بندی | معماری |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 2092 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 31 |
تحلیل پردیس سینمایی ملت
پاورپوینت عناصر و جزئیات 1
| دسته بندی | معماری |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 8038 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 55 |
دانلود پروژه عناصر و جزئیات 1 مخصوص کاردانی به صورت کامل
با معماری خورشیدی آشنا شویم
| دسته بندی | معماری |
| فرمت فایل | zip |
| حجم فایل | 22 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 10 |
دانلود فایل آشنایی با معماری خورشیدی
تجزیه تحلیل پیچیدگی های صنعت تجارت الکترونیک
| دسته بندی | اقتصاد |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 28 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 65 |
*تجزیه تحلیل پیچیدگی های صنعت تجارت الکترونیک*
مقدمه:
در فصل قبل مشاهده کردیم که چگونه تکنولوژیهای تجارت الکترونیک، اساس اقتصادی برخی تجارتها را تغییر می‌دهد. در این فصل جزئیات بیشتری را در مورد اینکه چگونه این پیچیدگیهای صنعتی، ساختارهای اقتصادی صنعت را تغییر می‌دهد بیان خواهیم کرد.
در ابتدا، دو اثری را که گهگاهی با تکنولوژیهای اطلاعاتی قبلی مورد ملاحضه قرار گرفته، بررسی می‌کنیم: تغییر توازن قدرت در یک صنعت و هماهنگی بهتر فعالیتها، درون و مابین شرکتها. سپس، سه اثر دیگری که مستقیماً روی حلقه‌های ارزش (value chins) صنعت که برتری زیادی به عنوان نتیجة تغییرات مهم در علم اقتصادِ تجارتی که بوسیلة اینترنت آورده شده است، دارد را بررسی می‌کنیم.
این سه اثر عبارتند از: عدم مداخله، عدم یکپارچگی و تقارب دیجیتال حلقه‌های ارزش. گرچه این اثرات قبلاً مشاهده شد، اما آنها به عنوان نتیجة فوائد ویژه‌ای که بوسیلة شبکة جهانی به ارمغان آورده شده، پر اهمیت‌تر شده‌اند.
تغییر قدرت صنعت
یکی از بهترین چهارچوب‌های شناخته شده برای تجزیه تحلیل صنعت، 5 مدل مؤثر porter می‌باشد. پورتر 5 ابزار کلیدی که قابلیت سودآوری در یک صنعت را تعیین می‌کند، مشخص نمود. (شکل 1-6)
تهدید وارد شوندگان جدید در عرضة بازار
تهدید محصول یا خدمت جانشین
قدرت معامله خریداران
قدرت معامله عرضه کنندگان
مسابقة رقابتی مابین شرکتهای موجود در صنعت
پیش بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخص های علم و فناوری
| دسته بندی | الکترونیک و مخابرات |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 116 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 49 |
*پیش بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخص های علم و فناوری*
فهرست
مقالة ویژه: پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری 1
مرکز جدید نانوتکنولوژی ارتش آمریکا 11
همکاری تایوان با کانادا در زمینة نانوتکنولوژی 14
گزارشی از شرکتهای نانوتکنولوژی ژاپن 16
تلاش برای توسعة نانوتکنولوژی در اروپا 18
سرمایه‌گذاری در نانوتکنولوژی 18
امتیازی برای ساخت حسگرهای زیستی 20
اولین نمایشگاه بین‌المللی نانوتکنولوژی در سوئیس 21
اندازه‌گیری؛ چالشی در نانوتکنولوژی 23
ذخیرة 250 ترابیت در یک اینچ مربع 25
حسگرهای هیدروژنی جدید 27
تولید هزاران کیلو نانوذرات در یک شرکت نانومواد 28
دو موفقیت بزرگ در ترانزیستور تک سلولی 30
تهیة زیروژلهای کروموفوریک 32
توسعة کریستال فوتونیک 34
انستیتو نانوتکنولوژی نظامی 35
اختراع ابزار آشکارسازی DNA با درجة تفکیک بالا 42
پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری
چکیده
قرار است نانوتکنولوژی یکی از فناوریهای کلیدی و کارآمد قرن 21 شود. قابلیت اقتصادی آن، حاکی از وجود بازاری بالغ بر چندصد میلیارد یورو برای این فناوری در دهة بعد است. بنابراین نانوتکنولوژی موجب جهت‌دهی فعالیتهای بسیاری از بخشهای صنعتی و تعداد زیادی از شرکتها در جهت آماده‌سازی آنها برای این رقابت جدید شده است. در همین زمان دولتمردان در بخشهای تحقیق و توسعه در سراسر دنیا نیز در حال اجرای برنامه‌های تحقیقاتی خاص در زمینة نانوتکنولوژی هستند تا آیندة کشورهای خود را به وضعیتی مطلوب برسانند. هدف این مقاله، استفاده از شاخصهای تکنولوژیکی و علمی برای پیش‌بینی پیشرفت اقتصادی و مقایسة وضعیت کشورهای مختلف است.
1- مقدمه
علوم نانو در دو دهه گذشته، پیشرفت بزرگی حاصل کرده است. ما شاهد کشفیات علمی و پیشرفتهای تکنولوژیکی مهمی بوده‌ایم. به عنوان مثال، این پیشرفتها شامل اختراع میکروسکوپ تونل‌زنی پیمایشگر (STM) در سال 1982 ]1[ یا کشف فولرینها در سال 1985 می‌باشد]2[. در حال حاضر تعداد اندکی از محصولات مبتنی بر نانوتکنولوژی به استفادة تجاری رسیده‌اند. با این وجود، آیا دانش واقعی علمی، جوابگوی اشتیاق جهانی نسبت به این فناوری هست ؟ تا چه حد احتمال دارد که بازار جهانی در طی 10 تا 15 سال آینده به هزار میلیارد دلار در سال برسد]3[؟
ارزیابی قابلیت فناوریهای تکامل یافته کار آسانی نیست و برای یک فناوری جدید مثل نانوتکنولوژی، این کار دشوارتر است. البته در پیش‌بینی سعی می‌شود از شاخصهایی استفاده شود که توانشان در پیش‌بینی قابلیت دیگر فناوریهای جدید به اثبات رسیده باشد. دو تا از واضح‌ترین شاخصهای پیش‌بینی، تعداد مقاله‌های علمی و تعداد اختراعات ثبت شده هستند. اولی معمولاً شاخص خوبی برای فعالیتهای علمی و دومی برای قابلیت انتقال نتایج علمی به کاربردهای عملی است. شکل 1 تکامل تدریجی انتشارات و اختراعات نانوتکنولوژی از شروع دهة 1980 تا 1998 را نشان می‌دهد. اطلاعات انتشارات جهانی نانوتکنولوژی از داده‌های Science Citation Index (SCI) اقتباس شده است. اختراعات نانو، آنهایی هستند که در European Patent Office (EPO) در مونیخ ثبت شده‌اند. اختراعاتEPO داده‌های بسیاری از کشورها را در بر می‌گیرد. از نظر گسترة کار و هزینة بالا، منطقی به نظر می‌رسد که مخترعین از اختراعات به صورت تجاری بهره‌برداری کنند. لیستی از کلمات کلیدی علوم و فناوری نانو جهت دستیابی به انتشارات، اختراعات و روشها منتشر شده‌است]4[.
بررسی فن آوری های صفحات نمایشگر
| دسته بندی | الکترونیک و مخابرات |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 253 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 62 |
*بررسی فن آوری های صفحات نمایشگر*
Screen Technologies
بررسی فن آوریهای صفحات نمایشگر
CRT با یک تفاوت سابقه 100 ساله در مقایسه با فناوریهای رقیب ، هنوز یک فناوری نیرومند است این فناوری مبتنی بر قواعدی است که عموما درک شده اند و موادی را به کار می گیرد که بطور عادی در دسترس قرار دارند . نتیجه این خصوصیات ، نمایشگرهائی با امکان تولید ارزان هستند که بازدهی فوق العاده ای را ارائه نموده و تصاویر پایداری را با رنگهای واقعی و وضوح نمایش بالا تولید می کنند.
با اینحال مهم نیست که این فناوری تا چه حد خوب است . بدیهی ترین نقایص CRT کاملا شناخت شده هستند .
- این فناوری الکتریسته بسیار زیادی را می بلعد .
- طراحی پرتوتک الکترونی آن مستعد عدم تمرکز است .
- عدم تقارب واختلاف رنگ در سطح صفحه نمایشگر .
- مدارات الکتریکی High - Voltage و میدانهای مغناطیسی قوی آن ، تشعشع الکترومغناطیسی مضری را ایجاد می کنند .
- وبه سادگی بیش از حد بزرگ است .
حتی با وجود صرف مبالغ هنگفت در زمینه تحقیقات و توسعه CRT توسط آنهائیکه بیشترین توجه را به این فناوری معطوف کرده اند پیروزی یکی از چندین فناوری نمایشگرهای Flat panel در یک دوره طولانی ،اجتناب ناپذیر است . با اینحال ،این مسئله بیش از آنچه که درابتدا تصور می شد طول کشیده است وارزیابیهای کنونی حاکی از آن هستند که به نظر نمی رسد Flat panel ها تا پیش از سال 2004 به بیش از 50 درصد بازار دست یابند .
مقاله درمورد ژنراتورها
| دسته بندی | الکترونیک و مخابرات |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 75 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 144 |
*مقاله درمورد ژنراتورها*
مقدمه :
صدای مختصری شنیده خواهد شد این حالت دلالت می کند که کنتاکتها بطورنرمال کار می کنند. همچنین با قطع کردن سیم کشی کنترل از ترمینالهای رله و قراردادن یک رنگ(Bell – SET ) یا ابزار اندازه
گیری متفاوت در مدار می توان پیوستگی(CONTINUITY ) را چک کرد، متصل کردن هر یک از اینها به ترمینالهای رله، دلالت می کند. که تا وقتی که عمل کننده چک کنتاکت پائین باشد کنتاکتهای رله بسته است. طول درگیر ماگنت(MAGNET ) را چک کرده ومطمئن شوید که از گردوغبار یا کثافت، روغن و گریس، پاک باشند. کنتاکتهای نقره ای را از نظر سایش چک کننید.اگر سر نقره ای سائیده شده و فلز زیری دیده شود کنتاکتها را عوض کنید. کنتاکتهای نقره ای را جهت برطرف کردن برآمدگی ها، ترکها، خراشیدگی ها و غیره سوهان نزنید.
کنتاکتهای عمومی(GENERAL – PVRPOSE )
مسیر قوس(ARC CHUTE) را از نظر آسیب فیزیکی بازرسی کنید. کلیرنس های برآمدگی قوسها را چک کنید. تنظیمات فنر آرمیچر با نیروی کنتاکت (TIE GAPE ) و سیم ها را چک کنید.
ژنراتورها(GENERATORS )
جهت اطلاع از رو شهای تعمیرات و بازرسی ژنراتور، به بخش (ژنراتور و ضمائم) در جلد I مراجعه کنید.
کوپه های بار و کولکتور
اطمینان حاصل کنید که اتصالات شل در این کوپه ها وجود نداشته ، فصل مشترک های بین انتهای کوپه ها و ژنراتور در مقابل نشت اب سیل بوده و سیل ها صدمه ندیده باشند. در صورتیکه تجمعی از گردوغبار و گثافت وجود داشته باشد باید تمیز و برطرف شود. و نت های تخلیه هوای خنک کننده را از نظر اطمینان از عدم گرفتگی چک کنید.
تعمیرات سیستم های وای ورودی و تجهیرات سیستم و توربین گاز توری ورودی (INLET SCREEN)
تور های ورودی درست در بالای سپراتورهای( جداکننده های) اینرسی(INRETIAL – SEPRATORS ) قرار دارند تا از ورود پرندگان، برگها، ترکها، کاغذها، و دیگر اشیاء مشابه جلوگیری شود. در این توربینها باید از تجمع زیاد آشغالها ممانعت کرد تا ا زجریان آزاد هوا اطیمنان حاصل شود.
ترانسفورماتور های جریان
| دسته بندی | الکترونیک و مخابرات |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 20 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 52 |
*ترانسفورماتور های جریان*
ترانسفورماتور های جریان Current transformer
در پستهای فشارقوی به منظور اندازه گیری مقدار جریان و یا حفاظت تجهیزات توسط رله های حفاظتی الکتریکی ازترانسفورماتورهای جریان استفاده می شود که دارای دو وظیفه اصلی می باشند :
1ـ پایین آوردن مقدار جریان فشار قوی بطوری که قابل استفاده برای اندازه گیری از قبیل آمپر متر و مگا واتمتر و کنتورهای اکتیو و راکتیو و همچنین رله های حفاظتی جریانی باشد .
2 ایزوله کردن و جدا کردن دستگاههای اندازه گیری و حفاظتی از ولتاژ فشار قوی در اولیه . بطور کلی ترانسفورماتور های جریان اولیه آنها در مسیر جریان مورد حفاظت و یا اندازه گیری قرار گرفته و در ثانویه آن ، با نسبتی معین جریانی متفاوت داریم مثلاً ترانس جریان با نسبت 200/1 یعنی ترانسی که بازای 200 آمپر در طرف اولیه 1 آمپر در طرف ثانویه ( به شرط برقراری مدار ) ایجاد می کند .
طبعاً هر قدر جریان اولیه تغییر کند جریان در طرف ثانویه نیز به همان نسبت تغییر می کند . ولی به خاطر محدودیت هسته ترانس جریان برای عبور خطوط قوای مغناطیسی این قاعده تا حد معینی از افزایش جریان ارتباط دارد . به خاطر حفاظت وسایل اندازه گیری در برابر ضربه های ناشی از اضافه جریان معمولاً ازترانس جریان نهایی استفاده می شود که هسته آنها خیلی زود اشباع می شود . برعکس برای اینکه سیستمهای حفاظتی دقیقتر عمل کنند به ترانس جریانهای احتیاج داریم که هر چه دیرتر اشباع بشوند مثلاً ده ، پانزده یا بیست برابر جریان نامی . طرز کار ترانس جریان نیز بدین صورت است که جریان مدار از اولیه آن عبور کرده و باعث ایجادخطوط قوای مغناطیسی می شود این خطوط قوا به نوبه خود درثانویه ایجاد جریان می کند . جریان موجود در سیم پیچ ثانویه خطوط قوای دیگری را در هسته بوجود می آورد که جهت آن مخالف جهت خطوط قوای اولیه بوده و آنرا خنثی می کند چنانچه مدار ثانویه ترانس جریان در حالی که ترانس در معرض جریان اولیه است باز شود . خطوط قوای مربوط به ثانویه صفر شده و در هسته فقط خطوط قوای مربوط به اولیه باقی می ماند که این خطوط قوای هسته را گرم کرده و باعث سوختن ترانس جریان می شود . لذا همیشه اخطار می شود که ثانویه ترانس جریان که درمدار قرار گرفته باز نشود یا به مداری با مقاومت بیشتر از حد مجاز متصل نشود .
تیریستور یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n
| دسته بندی | الکترونیک و مخابرات |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 68 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 22 |
*تیریستور یا یکسو کننده قابل کنترلp-n-p-n
1-1-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )
تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت[1] است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت[2] (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .
اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی[3] به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن[4] هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .
حال اگر یک ولتاژ بایاس با یک مدار خارجی برای حمل جریانهای داخلی منظور شود ، این جریان ها شامل قسمتهای زیر خواهند
بود.
جریان ناشی از :
1-عبور حاملهای اکثریت (حفره ها ) از اتصال
2-عبور حاملهای اقلیت از اتصال
3-حفره های تزریق شده به اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه
می یابند اتصال را قطع می کند .
4-حاملهای اقلیت از اتصال که از طریق ناحیه n اشاعه یافته و از اتصال عبور کرده است . عیناً نیز از شش قسمت و از چهار قسمت تشکیل خواهد یافت .
برای تشریح اصول کار تیریستور از دو روش متشابه[5] مدلهای دیودی و یا دو ترانزیستوری می توان استفاده کرد .
(الف) مدلهای دیودی تیریستور
تیریستور که یک نیمه هادی سه اتصالی ، شبیه سه دیودی است که به طور سری اتصال یافته اند . اگر دریچه بایاس نشود ولی به دو سر آند و کاتد ولتاژ بایاسی اعمال شود این ولتاژ هر قطبیتی[6] که داشته باشد همواره حداقل یک اتصال معکوس بایاس شده ، وجود خواهد داشت تا از هدایت تیریستور جلوگیری کند .
اگر کاتد توسط ولتاژ منبع تغذیه (نسبت به آند ) منفی شود و دریچه نسبت به کاتد به طور مثبت بایاس شود لایه p دریچه توسط کاتد از الکترون لبریز می شود و خاصیت خودش را به عنوان لایه p از دست می دهد . در نتیجه تیریستور به دیود هدایتی معادلی تبدیل می شود .
(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور
پولک p-n-p-n را می توان به صورت دو ترانزیستور با دو ناحیه پایه در نظر گرفت . کلکتور ترانزیستور n-p-n ، جریان محرکی برای پایه ترانزیستور p-n-p که جریان کلکتورش اضافه جریان دریچه به مثابه جریان محرک[7] پایه ترانزیستور n-p-n است ، مهیا کند .
برای روشن کردن تریستور جریان دریچه به جزء خیلی حساس ترانزیستور n-p-n از اتصال p-n-p-n اعمال می شود . اولین ده درصد افزایش جریان آند ، در اصل جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n است . پایه n ترانزیستور p-n-p توسط جریان کلکتور ترانزیستور n-p-n باردار می شود . در نتیجه فیدبک مثبتی توسط جریان کلکتور ترانزیستور p-n-p به منظور افزایش بارهای ایجاد شده در پایه p ترانزیستور n-p-n دایر می شود . به این ترتیب جریان تیریستور شروع به افزایش می کند ، به سرعت به مقدار اشباع می رسد و جریان تیریستور فقط توسط امپدانس بار محدود
می شود .
بهتر است به منظور تشریح مشخصه و خواص تیریستور حالتهای مختلف آن را (از نظر بایاس ) مورد بررسی قرار دهیم .
[1] -Gate 2-signal
[3]-Built - in voltage 2-Retarding electric field
[5] -Analogue 2-Polarity
[7] -Drive